{"product_id":"ndd58pt6-2aet","title":"NDD58PT6-2AET","description":"\u003ch2\u003e NDD58PT6-2AET - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eNDD58PT6-2AET\u003c\/strong\u003e d'Insignis Technology Corporation offre des performances fiables et rapides pour les applications embarquées critiques. Cette mémoire DDR SDRAM de 512 Mbits dispose d'une organisation mémoire de 64 Mbits x 8 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les applications aérospatiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e la fréquence d’horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eArchitecture mémoire robuste :\u003c\/strong\u003e organisation 64 Mo x 8 avec interface SSTL_2 pour une intégrité du signal fiable\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour un fonctionnement écoénergétique\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société technologique Insignis\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire NDD58PT6-2AET est conçue pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire haute fiabilité, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, les routeurs et commutateurs réseau, les systèmes d'infodivertissement automobiles et l'avionique aérospatiale. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent des performances constantes même dans des environnements difficiles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003e\u003cstrong\u003eHQICKEY\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantis authentiques et disponibles sur le long terme. Notre vaste inventaire comprend une gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003e\u003cstrong\u003ecircuits intégrés de mémoire\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e provenant des plus grands fabricants, vous assurant ainsi l'accès aux composants nécessaires à vos projets critiques.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eRessources et assistance techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Besoin d'informations techniques supplémentaires, de fiches techniques ou de notes d'application ? Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog technique et actualités HQICKEY\"\u003e\u003cstrong\u003eblog technique et notre centre d'actualités\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e pour découvrir les dernières analyses, guides de conception et mises à jour du secteur et ainsi prendre des décisions éclairées pour la conception de vos systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui le NDD58PT6-2AET et découvrez des solutions de mémoire fiables et performantes, soutenues par l'engagement de HQICKEY en matière de qualité et d'assistance client.\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"Insignis Technology Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116119752993,"sku":"NDD58PT6-2AET","price":9.22,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1982_66TSOPII-10.16_T6_66_7618a6ed-ec5b-4787-b6c9-e95b1d7df1b9.jpg?v=1743648376","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/ndd58pt6-2aet","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}