{"product_id":"pc28f640p33b85b-tr","title":"PC28F640P33B85B TR","description":"\u003ch2\u003e Mémoire flash NOR haute fiabilité Micron StrataFlash PC28F640P33B85B TR - 64 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire flash \u003cstrong\u003ePC28F640P33B85B TR\u003c\/strong\u003e de Micron Technology est une solution de mémoire flash NOR parallèle haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire flash de 64 Mbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eStockage haute densité :\u003c\/strong\u003e une capacité de 64 Mbits avec une organisation mémoire de 4 M x 16 offre un espace suffisant pour le microprogramme, le code de démarrage et le stockage des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 85 ns et une fréquence d'horloge de 52 MHz garantissent une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TC), ce qui le rend idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e une large plage de tension de 2,3 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les systèmes embarqués existants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e le boîtier 64-TBGA (64-EasyBGA 10x13) optimise l’espace sur la carte et l’efficacité de la fabrication\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e le conditionnement TR garantit la compatibilité avec les assemblages automatisés et la protection des composants\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Micron Technology Inc.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e StrataFlash™\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ÉCLAIR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FLASH - NOR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 52 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 85 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 85 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64-TBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64-EasyBGA (10x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire PC28F640P33B85B TR est spécialement conçue pour les applications nécessitant une mémoire non volatile à haute fiabilité et rétention des données :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant le stockage de code et un micrologiciel de démarrage\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Modules ECU automobiles, systèmes d'infodivertissement et modules ADAS\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriels et automates programmables (PLC)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués nécessitant des données de configuration persistantes\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie NOR Flash ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e L'architecture de mémoire flash NOR offre des avantages indéniables pour les applications embarquées : la capacité d'exécution sur place (XIP) permet aux processeurs d'exécuter du code directement depuis la mémoire flash sans chargement en RAM, les performances d'accès aléatoire garantissent des opérations de lecture rapides et la fiabilité supérieure assure l'intégrité des données dans les systèmes critiques. La gamme StrataFlash de Micron a fait ses preuves dans les applications à haute fiabilité à travers le monde.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et fiabilité\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eFabriqué par Micron Technology Inc., leader mondial des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et automobiles. Sa large plage de températures et sa conception robuste garantissent des performances constantes quelles que soient les conditions environnementales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de mémoire - Flash, DRAM, EEPROM | HQICKEY\"\u003esolutions de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant DRAM, SRAM, EEPROM et autres technologies de mémoire flash. 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