{"product_id":"r1lv0108esf-5si-s0","title":"R1LV0108ESF-5SI#S0","description":"\u003ch2\u003e Renesas R1LV0108ESF-5SI#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré \u003cstrong\u003eR1LV0108ESF-5SI#S0\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 1 Mbit, conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès parallèle. Avec un temps d'accès de 55 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e un cycle d'accès et d'écriture de 55 ns garantit une récupération et un stockage rapides des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation de la mémoire flexible :\u003c\/strong\u003e configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C dans des environnements à température industrielle.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e interface de bus parallèle standard pour une intégration simple\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e boîtier 32-TSOP I (32-TFSOP) adapté à l’assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, une mémoire cache, des tables de consultation, des contrôleurs d'automatisation industrielle, une infrastructure de télécommunications, des dispositifs médicaux et une électronique automobile où un fonctionnement fiable sur de larges plages de températures est essentiel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eBande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TFSOP (0,724\", largeur 18,40 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TSOP I\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir cette SRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Renesas Electronics est un leader reconnu dans la fabrication de semi-conducteurs, fort de plusieurs décennies d'expérience dans les solutions de mémoire. La puce R1LV0108ESF-5SI#S0 offre une fiabilité éprouvée, une disponibilité constante pour des cycles de vie produits longs et un support technique complet, ce qui en fait un excellent choix pour les conceptions exigeant des performances de mémoire fiables et rapides.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eBesoin de documentation technique ou d'aide à la conception ?\u003c\/strong\u003e Contactez-nous pour obtenir des fiches techniques, des notes d'application et des conseils d'experts sur l'intégration de cette SRAM dans votre prochain projet.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116615598369,"sku":"R1LV0108ESF-5SI#S0","price":17.12,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_559_PTSA0032KA-A_VP_32_a46fc020-7f67-4916-bbb7-afb8e4afcc10.jpg?v=1743660147","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/r1lv0108esf-5si-s0","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}