{"product_id":"r1lv0108esn-5si-s1","title":"R1LV0108ESN-5SI#S1","description":"\u003ch2\u003e Renesas R1LV0108ESN-5SI#S1 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eR1LV0108ESN-5SI#S1\u003c\/strong\u003e de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un accès mémoire parallèle rapide et non volatile. Avec une organisation de 128 Ko x 8 et un temps d'accès de 55 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de mémoire de 1 Mbit\u003c\/strong\u003e - Organisation 128 Ko x 8 offrant un stockage de données flexible pour les applications embarquées\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide de 55 ns\u003c\/strong\u003e - Garantit des opérations de lecture\/écriture rapides pour les systèmes critiques en temps réel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement\u003c\/strong\u003e : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses configurations d’alimentation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles\u003c\/strong\u003e - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS\u003c\/strong\u003e - 32-SOIC (largeur 11,40 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle\u003c\/strong\u003e - Accès direct à la mémoire sans protocoles complexes\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est idéale pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données FPGA, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications où une mémoire rapide et fiable est essentielle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eTemps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-SOIC (0,450\", largeur 11,40 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Distributeur agréé de composants Renesas authentiques, HQICKEY garantit des pièces 100 % originales, une traçabilité complète, une disponibilité tout au long du cycle de vie et un support technique dédié. Nous assurons une livraison internationale fiable, même pour les productions à grande échelle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM\"\u003ecircuits intégrés de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM,\u003c\/a\u003e pour vos projets embarqués et industriels. 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