{"product_id":"r1lv5256esa-7sr-s0","title":"R1LV5256ESA-7SR#S0","description":"\u003ch2\u003e Puce mémoire SRAM Renesas R1LV5256ESA-7SR#S0\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Mémoire SRAM haute performance de 256 kbits de Renesas Electronics Corporation, conçue pour le stockage fiable de données dans les systèmes embarqués, les applications industrielles et les équipements de télécommunications. Cette SRAM à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation, de 2,7 V à 3,6 V.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Caractéristiques principales :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eCapacité mémoire :\u003c\/strong\u003e 256 Kbits (organisation 32 K x 8)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e 70 ns pour une récupération rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e 28-TSOP I (28-TSSOP) pour circuits imprimés compacts\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e 0 °C à 70 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications :\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Idéal pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et toute application nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes :\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société électronique Renesas\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eOrganisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 70ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 70 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-TSSOP (0,465\", largeur 11,80 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-TSOP I\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir cette SRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Renesas Electronics est un leader reconnu dans la fabrication de semi-conducteurs, proposant des solutions de mémoire de haute qualité, d'une fiabilité éprouvée et bénéficiant d'un support technique étendu. Cette puce SRAM offre un équilibre parfait entre vitesse, efficacité énergétique et compatibilité pour les applications les plus exigeantes.\u003c\/p\u003e","brand":"Renesas Electronics Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116616155425,"sku":"R1LV5256ESA-7SR#S0","price":17.12,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_559_PTSA0028ZA-A_VP_28_ffee0130-bef3-4152-8c94-9461f9c64ecf.jpg?v=1743660164","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/r1lv5256esa-7sr-s0","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}