{"product_id":"w632gg8nb11i-tr","title":"W632GG8NB11I TR","description":"\u003ch2\u003e Winbond W632GG8NB11I TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eWinbond W632GG8NB11I TR\u003c\/strong\u003e est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 2 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Doté d'une organisation mémoire de 256 Mbits x 8 et d'une fréquence d'horloge de 933 MHz, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à sa compatibilité avec l'interface SSTL_15.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Technologie DDR3 SDRAM pour un transfert de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fréquence d'horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 95 °C (TC)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fonctionnement à basse tension : 1,425 V à 1,575 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier 78-VFBGA (8x10,5) pour une conception compacte\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eApplications :\u003c\/strong\u003e Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables et performantes.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQualité et conformité :\u003c\/strong\u003e Fabriqué par Winbond Electronics avec une traçabilité complète et conforme aux normes RoHS\/REACH. Convient aux applications à long cycle de vie avec prise en charge de l’intégration dès la conception.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Winbond Electronics\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR3\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_15\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 933 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 20 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,425 V ~ 1,575 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 95°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 78-VFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 78-VFBGA (8x10,5)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Explorez davantage de solutions semi-conducteurs hautes performances :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003eParcourez notre collection complète de mémoires\u003c\/a\u003e : découvrez une vaste gamme de circuits intégrés de mémoire, notamment des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM provenant des principaux fabricants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - 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