{"product_id":"w66aq6nbuafj-tr","title":"W66AQ6NBUAFJ TR","description":"\u003ch2\u003e Mémoire DRAM LPDDR4X mobile haute performance Winbond W66AQ6NBUAFJ TR\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003eW66AQ6NBUAFJ TR\u003c\/strong\u003e de Winbond Electronics est une solution de mémoire DRAM mobile LPDDR4X 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et un temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués et les plateformes informatiques mobiles exigeantes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 1,6 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eArchitecture mémoire optimisée :\u003c\/strong\u003e l'organisation 64 Mo x 16 assure une gestion efficace des données pour les applications mobiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e l'alimentation à double tension (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 200-WFBGA (10 x 14,5) permet un gain de place précieux sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConformité sectorielle :\u003c\/strong\u003e Conforme à la directive RoHS en matière de responsabilité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Winbond Electronics\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - LPDDR4X mobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e LVSTL_06\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,6 GHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 18ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3,6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 105°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200-WFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200-WFBGA (10x14,5)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire DRAM mobile LPDDR4X est parfaitement adaptée aux applications suivantes :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipement de diagnostic médical\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Informatique mobile et applications embarquées\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir Winbond W66AQ6NBUAFJ TR ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Winbond Electronics s'est imposée comme un leader de confiance dans le domaine des solutions semi-conducteurs haute fiabilité. La mémoire W66AQ6NBUAFJ TR associe la technologie LPDDR4X de pointe à une conception robuste pour garantir des performances constantes, même dans les environnements les plus exigeants. Que vous conceviez des systèmes automobiles de nouvelle génération ou des équipements industriels critiques, cette solution mémoire offre la vitesse, la fiabilité et l'efficacité requises par votre application.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de mémoire - Composants de mémoire semi-conducteurs haute performance\"\u003esolutions de mémoire\u003c\/a\u003e pour des options supplémentaires de mémoire DRAM, SRAM et flash. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité. 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