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Alliance Memory, Inc.

AS4C128M16D3B-12BCN

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Alliance Memory AS4C128M16D3B-12BCN DDR3 SDRAM Speicher-IC

Der AS4C128M16D3B-12BCN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigen und schnellen Speicherlösungen entwickelt wurde. Diese Komponente in Industriequalität verfügt über eine Speicherorganisation von 128M x 16 und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 800 MHz. Dadurch eignet sie sich ideal für eingebettete Systeme, Telekommunikationsgeräte, industrielle Automatisierung und Medizintechnik.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
  • Optimale Speicherkonfiguration: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für effiziente Datenverarbeitung
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC) für industrielle Anwendungen und Anwendungen in rauen Umgebungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 96-VFBGA (8x13mm) für platzsparende Designs
  • Standard-DDR3-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle mit einer Versorgungsspannung von 1,425 V bis 1,575 V
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Anwendungen

Dieser DDR3 SDRAM eignet sich perfekt für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur, medizinische Bildgebungsgeräte und eingebettete Computerplattformen, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung von entscheidender Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen? Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauerunterstützung und ist damit die vertrauenswürdige Wahl für unternehmenskritische Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Telekommunikation und Medizin.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,425 V ~ 1,575 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-FBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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