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Alliance Memory, Inc.

AS4C128M16D3LB-12BCN

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Alliance Memory AS4C128M16D3LB-12BCN DDR3L SDRAM Speicher-IC

Der AS4C128M16D3LB-12BCN ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip von Alliance Memory, der für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Diese Speicherlösung bietet zuverlässige Leistung bei geringem Stromverbrauch und eignet sich daher ideal für die Automobilindustrie, Telekommunikation, Medizintechnik und industrielle Steuerungssysteme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Speicherdichte: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für datenintensive Anwendungen.
  • Hohe Leistung: Eine Taktfrequenz von 800 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.
  • Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit einer Spannung von 1,283 V bis 1,45 V, wodurch der Energieverbrauch und die Wärmeentwicklung reduziert werden.
  • Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC), geeignet für industrielle Umgebungen
  • Kompaktes Gehäuse: Das 96-FBGA (8x13) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Platine.
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

  • Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Ausrüstung für die Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinische Bildgebungs- und Diagnosegeräte
  • Eingebettete Computerplattformen
  • Netzwerk- und Serveranwendungen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf langlebige Speicherlösungen mit garantierter Verfügbarkeit und Rückverfolgbarkeit. Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen Originalprodukte von Alliance Memory inklusive umfassendem technischen Support, Datenblättern und Konformitätsdokumentation, um den Erfolg Ihrer Projekte sicherzustellen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-FBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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