-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
AS4C128M32MD4VA-062BIN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €12,95 EUR | €12,95 EUR |
| 15+ | €11,91 EUR | €178,65 EUR |
| 25+ | €11,66 EUR | €291,50 EUR |
| 50+ | €11,01 EUR | €550,50 EUR |
| 100+ | €9,71 EUR | €971,00 EUR |
| N+ | €1,94 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
Alliance Memory AS4C128M32MD4VA-062BIN - 4Gb LPDDR4X SDRAM
Hochleistungsfähiger 4-Gigabit-LPDDR4X-SDRAM für mobile Anwendungen, entwickelt für anspruchsvolle Einsatzbereiche in der Automobil-, Industrie- und Telekommunikationsbranche. Die 128M x 32-Konfiguration bietet eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei extrem niedrigem Stromverbrauch und eignet sich daher ideal für batteriebetriebene und thermisch eingeschränkte Anwendungen.
Hauptmerkmale
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V Kernspannung, 1,7 V–1,95 V VI/O)
- Breiter Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C für industrielle und automobile Anwendungen
- Kompaktes Gehäuse: 200-WFBGA (10 mm x 14,5 mm) SMD
- LVSTL-Schnittstelle: Industriestandard-Speicherschnittstelle
Anwendungen
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, IoT-Edge-Geräte, Telekommunikationsgeräte und eingebettete Computerplattformen, die hochdichte, energiesparende Speicherlösungen mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
Qualität & Support
Autorisierter Händlerlagerbestand mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langer Verfügbarkeit. RoHS-konform. Alliance Memory bietet umfassende Design-In-Unterstützung und Referenzdesigns zur Beschleunigung Ihres Entwicklungszyklus.
Technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
AS4C128M32MD4VA-062BIN.pdf