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Alliance Memory, Inc.

AS4C128M8D2A-25BINTR

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Alliance Memory AS4C128M8D2A-25BINTR - 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Speicher-IC

Der AS4C128M8D2A-25BINTR ist ein leistungsstarker 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Speicherchip von Alliance Memory, Inc. Mit einer 128M x 8-Struktur und einer Taktfrequenz von 400 MHz bietet diese flüchtige DRAM-Komponente zuverlässige Speicherleistung für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie, die Telekommunikation und eingebettete Systeme. Dank seines kompakten 60-TFBGA-Gehäuses (8x10) mit einem Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 95 °C eignet sich dieser IC ideal für Designs mit langer Lebensdauer, die eine stabile Versorgung und vollständige Rückverfolgbarkeit durch den Hersteller erfordern.

Hauptmerkmale:

  • 1-Gbit-DDR2-SDRAM mit 128M x 8 Speicherorganisation
  • 400 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC)
  • 60-FBGA (8x10) Oberflächenmontagegehäuse
  • RoHS-konform, Lagerbestand eines autorisierten Händlers
  • Vollständige Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit

Technische Spezifikationen:

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 400 PS
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,9 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 60-FBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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