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Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16MD1A-6BINTR

Normaler Preis €82.005,95
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Recycling Electronic Components

Alliance Memory AS4C16M16MD1A-6BINTR DDR SDRAM Speicher-IC

Die leistungsstarke 256-Mbit-DDR-SDRAM-Lösung von Alliance Memory wurde für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt, die einen zuverlässigen flüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbereich und langfristiger Verfügbarkeit erfordern.

Wichtigste technische Merkmale:

  • 256-Mbit (16M x 16) DDR-SDRAM-Architektur für Speicheranwendungen mit hoher Dichte
  • 166 MHz Taktfrequenz mit 5,5 ns Zugriffszeit für schnellen Datendurchsatz
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für den Betrieb in rauen Umgebungen
  • 60-VFBGA (8x9) SMD-Gehäuse, optimiert für platzsparende Designs
  • LVCMOS-Schnittstelle mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 1,95 V für geringen Stromverbrauch
  • 15 ns Schreibzykluszeit für effiziente Datenspeicheroperationen
  • Gurt- und Rollenverpackung (TR) für die automatisierte Bestückungsmontage

Zielanwendungen:

  • Eingebettete Computersysteme und industrielle Steuerungen
  • Automobilelektronik- und ADAS-Plattformen
  • Ausrüstung für die Telekommunikationsinfrastruktur
  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
  • Hochzuverlässige Computerplattformen, die eine verlängerte Lebenszyklusunterstützung erfordern

Qualitäts- und Echtheitsgarantie: Alle AS4C16M16MD1A-6BINTR-Einheiten stammen ausschließlich von autorisierten Alliance Memory-Distributoren. Jede Lieferung enthält die vollständige Herstellerdokumentation, Datumsangaben und lückenlose Rückverfolgbarkeit der Lieferkette, um Echtheit und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Anwendungen zu gewährleisten. Alliance Memory bietet langfristige Produktverfügbarkeitsgarantien – ideal für Designs, die einen langen Produktlebenszyklus erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung | Tonband & Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 16
Speicherschnittstelle LVCMOS
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 60-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 60-FBGA (8x9)

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