AS4C16M16SA-6BINTR

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AS4C16M16SA-6BINTR - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-SDRAM-Speicher-IC

Der AS4C16M16SA-6BINTR von Alliance Memory ist ein hochzuverlässiger 256-Mbit-Synchron-DRAM, der für industrielle, automobile, medizinische und Telekommunikationsanwendungen entwickelt wurde, die eine lange Lebensdauer und bewährte Leistung erfordern.

Hauptmerkmale

Speicherkapazität: 256 Mbit (16M x 16 Organisation)
Geschwindigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit
Schnittstelle: Paralleles SDRAM mit einer Versorgungsspannung von 3,0 V bis 3,6 V
Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C für industrielle Zuverlässigkeit
Gehäuse: 54-TFBGA (8x8mm) SMD, Lieferung auf Gurt und Rolle
Konformität: RoHS/REACH-konform mit vollständiger Rückverfolgbarkeit

Anwendungen

Ideal für eingebettete Systeme, Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die stabile Langzeitspeicherlösungen mit garantierter Versorgungssicherheit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung	Tonband & Spule (TR) \|
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM
Speichergröße	256 Mbit
Speicherorganisation	16 m x 16
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	12ns
Zugriffszeit	5 ns
Spannungsversorgung	3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	54-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	54-TFBGA (8x8)
RoHS