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Alliance Memory, Inc.

Alliance Memory AS4C16M32MD1B-5BIN DDR SDRAM Speicher-IC - 512 Mbit 200 MHz Industrie

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Alliance Memory AS4C16M32MD1B-5BIN DDR SDRAM Speicher-IC

Hochleistungsfähige 512-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherlösung, entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Dieser Speicherchip von Alliance Memory bietet zuverlässigen 200-MHz-Betrieb mit einer 16M x 32-Speicherorganisation in einem kompakten 90-FBGA-SMD-Gehäuse.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 512 Mbit Kapazität: 16M x 32 Speicherorganisation, optimiert für Datenspeicherung mit hoher Dichte
  • 200 MHz Taktfrequenz: Schnelle Zugriffszeit von 5 ns und Schreibzyklus von 15 ns für eine reaktionsschnelle Systemleistung
  • Industrieller Temperaturbereich: Bewährte Zuverlässigkeit von -40 °C bis 85 °C für unternehmenskritische Anwendungen
  • Niederspannungsbetrieb: 1,7 V bis 1,95 V Versorgungsspannung für energieeffiziente Ausführungen
  • Kompaktes 90-FBGA-Gehäuse: Platzsparende 8x13mm-Grundfläche für hochdichte Leiterplattenlayouts
  • Lagerbestand des autorisierten Händlers: Original Alliance Memory-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Herstellerdokumentation.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und ADAS-Systeme in der Automobilindustrie, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die langfristige Verfügbarkeit und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.

Qualitäts- und Echtheitsgarantie

Jede AS4C16M32MD1B-5BIN-Einheit wird direkt von autorisierten Alliance Memory-Distributoren bezogen. Dies gewährleistet 100% authentische Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langfristigem Support für Ihre kritischen Designs.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 32
Speicherschnittstelle LVCMOS
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 90-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 90-FBGA (8x13)

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