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AS4C1G16MD4VA-046BIN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €26,95 EUR | €26,95 EUR |
| 15+ | €24,79 EUR | €371,85 EUR |
| 25+ | €24,26 EUR | €606,50 EUR |
| 50+ | €22,91 EUR | €1.145,50 EUR |
| 100+ | €20,21 EUR | €2.021,00 EUR |
| N+ | €4,04 EUR | Price Inquiry |
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AS4C1G16MD4VA-046BIN - 16Gb LPDDR4X SDRAM Speicher-IC
Der AS4C1G16MD4VA-046BIN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker 16-Gigabit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit hohem Stromverbrauch und schnellen Datenübertragungsraten entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer Speicherorganisation von 1G x 16 bietet diese Komponente zuverlässige Leistung in Automobil-, Industrie- und Telekommunikationssystemen.
Hauptmerkmale:
- 16 Gbit Kapazität mit 1G x 16 Organisation für flexible Speicherarchitektur
- 2133 MHz Taktfrequenz ermöglicht schnellen Datendurchsatz
- Betrieb bei niedriger Leistungsaufnahme: 1,06 V ~ 1,17 V Kernspannung, 1,7 V ~ 1,95 V VI/O-Spannung
- Breiter Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
- 200-FBGA (10x15mm) SMD-Gehäuse für kompakte Leiterplattendesigns
- 3,5 ns Zugriffszeit und 18 ns Schreibzyklus für reaktionsschnelle Leistung
Anwendungsbereiche:
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsinfrastrukturen, IoT-Edge-Geräte und eingebettete Computerplattformen, die eine lange Lebensdauerunterstützung und authentische, rückverfolgbare Komponenten erfordern.
Vorteile des autorisierten Vertriebspartners:
Wir liefern Ihnen 100% authentische Alliance Memory-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langer Verfügbarkeit, um Ihre kritischen Programme zu unterstützen und das Risiko der Veralterung zu minimieren.
Technische Spezifikationen:
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 16 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 1G x 16 |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x15) |
| RoHS |  |
AS4C1G16MD4VA-046BIN.pdf