AS4C256M32MD4VA-046BIN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €15,95 EUR | €15,95 EUR |
| 15+ | €14,67 EUR | €220,05 EUR |
| 25+ | €14,36 EUR | €359,00 EUR |
| 50+ | €13,56 EUR | €678,00 EUR |
| 100+ | €11,96 EUR | €1.196,00 EUR |
| N+ | €2,39 EUR | Price Inquiry |
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AS4C256M32MD4VA-046BIN - Hochleistungsfähiger LPDDR4X SDRAM-Speicher-IC
Der AS4C256M32MD4VA-046BIN von Alliance Memory ist ein 8-Gbit-Mobil-LPDDR4X-SDRAM, der für Hochleistungsanwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser Speicherchip verfügt über eine 256M x 32-Struktur mit einer Taktfrequenz von 2133 MHz und bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Embedded-Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 2133 MHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile und energieempfindliche Anwendungen
- Breiter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C für industrielle und automobile Umgebungen
- Kompaktes Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs
- Betrieb mit zwei Spannungen: 1,06 V–1,17 V und 1,7 V–1,95 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
Anwendungen
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, Avionik in der Luft- und Raumfahrt, eingebettete Computerplattformen und IoT-Edge-Geräte, die einen hochdichten, schnellen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
Garantie des autorisierten Händlers
Wir liefern Ihnen 100% authentische Alliance Memory-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langer Verfügbarkeit, um Ihre kritischen Programme zu unterstützen und das Risiko der Veralterung zu minimieren.
Technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 8 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x14,5) |
| RoHS |

AS4C256M32MD4VA-046BIN.pdf