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Alliance Memory, Inc.

AS4C2M32D1A-5BINTR

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Alliance Memory AS4C2M32D1A-5BINTR - Hochleistungs-DDR-SDRAM

Der AS4C2M32D1A-5BINTR von Alliance Memory ist ein hochzuverlässiger 64-Mbit-DDR-SDRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer Zugriffszeit von 700 ps herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Systeme, die eine schnelle Datenverarbeitung und einen zuverlässigen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile:

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 200 MHz Taktfrequenz mit 700 ps Zugriffszeit für schnellen Datendurchsatz
  • Optimale Speicherkonfiguration: 64 Mbit Kapazität mit 2M x 32 Organisation für flexible Systemintegration
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Der erweiterte Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) gewährleistet einen stabilen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Versorgungsspannung von 2,3 V bis 2,7 V für energieeffiziente Ausführungen
  • Platzsparendes Gehäuse: Kompaktes 144-LFBGA-Gehäuse (12 x 12 mm) für optimale Leiterplattennutzung
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche:

Ideal für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die langfristigen Support und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.

Technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory? Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen Originalkomponenten von Alliance Memory mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und langfristiger Produktlebensdauer. Jede Komponente unterliegt unserer Qualitätssicherung und unserem weltweiten Versand.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 64 Mbit
Speicherorganisation 2 m x 32
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 700 PS
Spannungsversorgung 2,3 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 144-LFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 144-LFBGA (12x12)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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