AS4C2M32S-6BINTR

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AS4C2M32S-6BINTR - Hochleistungsfähiger 64-Mbit-SDRAM-Speicher-IC

Der AS4C2M32S-6BINTR von Alliance Memory ist ein hochzuverlässiger 64-Mbit-Synchron-DRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche, Telekommunikation und Medizintechnik entwickelt wurde. Dieser SMD-Speicher-IC bietet mit einer Taktfrequenz von 166 MHz und einer Zugriffszeit von 5,4 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für eingebettete Systeme, die eine schnelle und zuverlässige Datenspeicherung erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,4 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
Flexible Organisation: 2M x 32 Speicherarchitektur, optimiert für 32-Bit-Datenbusanwendungen
Industriequalität: Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) für raue Umgebungen
Kompakte Bauform: Das 90-TFBGA-Gehäuse (8x13 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
Langfristiger Support: Unterstützt durch das Engagement von Alliance Memory für eine verlängerte Produktverfügbarkeit.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser SDRAM eignet sich perfekt für:

Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
Automobilelektronik und Infotainment
Telekommunikationsinfrastruktur
Medizinische Diagnosegeräte
Eingebettete Computerplattformen
Datenerfassungssysteme

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf die langfristige Versorgung mit kritischen Speicherkomponenten. Dank umfangreichem Lagerbestand, weltweitem Versand und umfassendem technischen Support gewährleisten wir Ihre Produktionskontinuität und sorgen für reibungslose Design-Implementierungen.

Teilenummer: AS4C2M32S-6BINTR
Verfügbarkeit: Auf Lager – sofort versandbereit
Verpackung: Gurt und Rolle für die automatisierte Montage

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung	Tonband und Spule (TR) \| Tonband und Spule (TR)
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM
Speichergröße	64 Mbit
Speicherorganisation	2 m x 32
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	2ns
Zugriffszeit	5,4 ns
Spannungsversorgung	3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	90-TFBGA (8x13)
RoHS