AS4C32M16D1-5BINTR

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AS4C32M16D1-5BINTR - 512Mbit DDR SDRAM Speicher-IC

Der AS4C32M16D1-5BINTR von Alliance Memory ist ein leistungsstarker 512-Mbit-DDR-SDRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil, Telekommunikation und Embedded-Systemen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 32M x 16 und einer Taktfrequenz von 200 MHz bietet dieser flüchtige DRAM zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.

Hauptmerkmale

Speicherkapazität: 512 Mbit (32M x 16 Organisation)
Technologie: DDR SDRAM mit paralleler Schnittstelle
Geschwindigkeit: 200 MHz Taktfrequenz, 15 ns Schreibzykluszeit, 700 ps Zugriffszeit
Betriebsspannung: 2,3 V bis 2,7 V für den Betrieb mit geringer Leistungsaufnahme
Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (Industriequalität)
Gehäuse: 60-TFBGA (8x13mm) SMD
Konformität: RoHS-konform

Anwendungen

Ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Kfz-Steuergeräte, Industriesteuerungen, Medizintechnik, Telekommunikationsausrüstung und Unterhaltungselektronik, die eine lange Lebensdauerunterstützung und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung	Tonband und Spule (TR) \| Tonband und Spule (TR)
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR
Speichergröße	512 Mbit
Speicherorganisation	32 m x 16
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	15 ns
Zugriffszeit	700 PS
Spannungsversorgung	2,3 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	60-TFBGA (8x13)
RoHS