AS4C32M16D3L-12BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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AS4C32M16D3L-12BINTR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der AS4C32M16D3L-12BINTR von Alliance Memory ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-DDR3L-SDRAM-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche, Medizintechnik und Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser Speicherchip verfügt über eine 32M x 16-Architektur mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und arbeitet mit niedriger Spannung (1,283 V ~ 1,45 V) für verbesserte Energieeffizienz.
Hauptmerkmale:
- Speicherkapazität: 512 Mbit (32M x 16 Organisation)
- Technologie: DDR3L SDRAM mit paralleler Schnittstelle
- Geschwindigkeit: 800 MHz Taktfrequenz, 20 ns Zugriffszeit
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC)
- Niederspannungsbetrieb: 1,283 V ~ 1,45 V für reduzierten Stromverbrauch
- Gehäuse: 96-VFBGA / 96-FBGA (8x13) SMD
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.
- Verpackung: Erhältlich als Gurtverpackung (TR) für die automatisierte Montage
Anwendungsbereiche:
Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte, Netzwerkgeräte und andere Anwendungen, die eine lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen:
Warum Alliance Memory wählen?
Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Speicherlösungen mit langer Lebensdauer und eignet sich daher ideal für Anwendungen, bei denen Langlebigkeit und eine zuverlässige Versorgung entscheidend sind. Alle Produkte sind vollständig rückverfolgbar und erfüllen strenge Qualitätsstandards, einschließlich der RoHS- und REACH-Richtlinien.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 32 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 96-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-FBGA (8x13) |
| RoHS |

AS4C32M16D3L-12BINTR.pdf