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Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16MD1-5BIN

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AS4C32M16MD1-5BIN – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR-SDRAM

Der AS4C32M16MD1-5BIN von Alliance Memory, Inc. ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-Mobile-Low-Power-DDR-SDRAM (LPDDR), der für unternehmenskritische Anwendungen mit höchsten Ansprüchen an Leistung und Energieeffizienz entwickelt wurde. Dieser oberflächenmontierbare Speicherchip verfügt über eine 32M x 16-Architektur mit paralleler Schnittstelle und bietet eine Taktfrequenz von 200 MHz sowie eine Zugriffszeit von 700 ps für anspruchsvolle Embedded-Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für zeitkritische Anwendungen.
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V bis 1,9 V optimiert den Stromverbrauch für mobile und batteriebetriebene Geräte.
  • Breiter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C unterstützt Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und der Industrie.
  • Kompakte Bauform: Das 60-TFBGA-Gehäuse (8 x 9 mm) maximiert die Platzausnutzung auf der Leiterplatte.
  • Bewährte Zuverlässigkeit: Qualität von Alliance Memory mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und RoHS-Konformität.

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal geeignet für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, wo Zuverlässigkeit und Leistung unerlässlich sind.

Technische Spezifikationen

Warum HQICKEY wählen?

Als autorisierter Distributor bietet HQICKEY Original-Memory-Komponenten von Alliance mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und schnellem weltweitem Versand. Unsere Expertise im Bereich hochzuverlässiger Halbleiter garantiert Ihnen die passenden Komponenten für Ihre geschäftskritischen Anwendungen.

Verwandte Ressourcen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobiles LPDDR
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 32 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 700 PS
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,9 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TJ)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 60-FBGA (8x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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