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Alliance Memory, Inc.

AS4C4M32D1-5BIN

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AS4C4M32D1-5BIN - Hochleistungs-DDR-SDRAM-Speicher-IC

Der AS4C4M32D1-5BIN von Alliance Memory bietet zuverlässige 128-Mbit-DDR-SDRAM-Leistung für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation. Dieser industrietaugliche Speicherchip verfügt über eine 4M x 32-Architektur mit paralleler Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz für schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: 200 MHz Taktfrequenz mit 700 ps Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Flexible Stromversorgung: Der Spannungsbereich von 2,3 V bis 2,7 V optimiert die Energieeffizienz.
  • Oberflächenmontage-Design: 144-LFBGA (12x12)-Gehäuse für platzsparende Leiterplattenlayouts
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und Automobilelektronik, die einen zuverlässigen flüchtigen Speicher mit schnellen Zugriffszeiten und breiter Temperaturtoleranz erfordern.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 32
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 700 PS
Spannungsversorgung 2,3 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 144-LFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 144-LFBGA (12x12)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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