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Alliance Memory, Inc.

AS4C4M32S-6BINTR

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Alliance Memory AS4C4M32S-6BINTR - 128Mbit SDRAM Speicher-IC

Der AS4C4M32S-6BINTR von Alliance Memory ist ein leistungsstarker 128-Mbit-Synchron-DRAM (SDRAM), der für industrielle und kommerzielle Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigen Speicherlösungen mit langer Lebensdauer entwickelt wurde. Dieser oberflächenmontierbare Speicherchip verfügt über eine 4M x 32-Struktur und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 166 MHz. Dadurch eignet er sich ideal für eingebettete Systeme, Telekommunikationsgeräte, Automobilelektronik und industrielle Steuerungsanwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,4 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für anspruchsvolle Umgebungen
  • Kompaktes 90-TFBGA-Gehäuse: Platzsparendes 8x13-mm-Oberflächenmontagedesign
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.
  • Langfristiger Support: Alliance Memory bietet verlängerte Produktverfügbarkeit für kritische Anwendungen.
  • Parallele Schnittstelle: Standard-SDRAM-Schnittstelle für einfache Integration

Technische Spezifikationen

Anwendungen

  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Automobilelektronik (Infotainment, ADAS)
  • Medizinische Geräte
  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
  • Eingebettete Computerplattformen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf die langfristige Bereitstellung von Lieferzusagen für kritische Speicherkomponenten. Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen Originalprodukte von Alliance Memory mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und zuverlässiger Lieferung für Ihre Produktionsanforderungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 32
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ns
Zugriffszeit 5,4 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 90-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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