AS4C512M16MD4VA-046BIN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €15,95 EUR | €15,95 EUR |
| 15+ | €14,67 EUR | €220,05 EUR |
| 25+ | €14,36 EUR | €359,00 EUR |
| 50+ | €13,56 EUR | €678,00 EUR |
| 100+ | €11,96 EUR | €1.196,00 EUR |
| N+ | €2,39 EUR | Price Inquiry |
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Alliance Memory AS4C512M16MD4VA-046BIN - 8-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher-IC
Der AS4C512M16MD4VA-046BIN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker 8-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit hohem Stromverbrauch und schnellen Datenübertragungsraten entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 512M x 16 und einer Taktfrequenz von 2133 MHz bietet dieser Speicher-IC zuverlässige Leistung für Systeme in der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation.
Hauptmerkmale:
- 8 Gbit Speicherkapazität – 512M x 16 Organisation für flexibles Systemdesign
- Hohe Leistungsfähigkeit – 2133 MHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit
- Stromsparende LPDDR4X-Technologie – optimiert für mobile und batteriebetriebene Anwendungen
- Breiter Betriebstemperaturbereich – -40 °C bis 85 °C (TC) für industrietaugliche Zuverlässigkeit
- Kompaktes 200-VFBGA-Gehäuse – 10 x 15 mm Grundfläche für platzsparende Designs
- RoHS-konform – umweltfreundlich und gesetzeskonform
Anwendungsbereiche:
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, eingebettete Computerplattformen und IoT-Geräte, die Speicherlösungen mit hoher Dichte und niedrigem Stromverbrauch erfordern.
Vorteile des autorisierten Vertriebspartners:
Wir liefern Ihnen Original-Speicherkomponenten von Alliance mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langer Verfügbarkeit, um Ihre kritischen Designprogramme zu unterstützen und das Risiko der Veralterung zu minimieren.
Vollständige technische Spezifikationen:
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 8 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x15) |
| RoHS |

AS4C512M16MD4VA-046BIN.pdf