AS4C64M16D3B-12BCNTR

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Alliance Memory AS4C64M16D3B-12BCNTR DDR3 SDRAM

Hochleistungsfähiges 1-Gbit-DDR3-SDRAM-Speichermodul von Alliance Memory, Inc. Dieser industrietaugliche Speicherchip verfügt über eine 64M x 16-Organisation mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und eignet sich ideal für eingebettete Systeme, industrielle Anwendungen und hochzuverlässige Designs, die einen erweiterten Temperaturbetrieb (0 °C bis 95 °C) erfordern.

Hauptmerkmale:

Speicherkapazität: 1 Gbit (64M x 16 Organisation)
Technologie: DDR3 SDRAM mit 800 MHz Taktfrequenz
Schnelle Zugriffszeit: 20 ns Zugriffszeit, 15 ns Schreibzyklus
Industrieller Temperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC)
Gehäuse: 96-TFBGA (9x13mm) SMD
RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Versorgungsspannung: 1,425 V bis 1,575 V

Anwendungsbereiche:

Ideal für industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, Automobilelektronik, medizinische Geräte und andere Anwendungen, die zuverlässige Speicherlösungen mit langer Lebensdauer und erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen:

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung	Tonband und Spule (TR) \| Tonband und Spule (TR)
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR3
Speichergröße	1 Gbit/s
Speicherorganisation	64 m x 16
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	15 ns
Zugriffszeit	20 ns
Spannungsversorgung	1,425 V ~ 1,575 V
Betriebstemperatur	0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	96-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	96-FBGA (9x13)
RoHS