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Alliance Memory, Inc.

AS4C64M4SA-6TIN

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AS4C64M4SA-6TIN - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-SDRAM-Speicher-IC

Der AS4C64M4SA-6TIN von Alliance Memory ist ein hochzuverlässiger 256-Mbit-Synchron-DRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie-, Automobil-, Medizin- und Telekommunikationssystemen entwickelt wurde. Dieser parallele SDRAM verfügt über eine 64M x 4-Speicherorganisation mit einer Taktfrequenz von 166 MHz und einer Zugriffszeit von 5,5 ns und ermöglicht so eine schnelle und effiziente Datenverarbeitung für eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5,5 ns Zugriffszeit gewährleisten einen schnellen Datendurchsatz.
  • Flexible Speicherorganisation: 64M x 4-Konfiguration, optimiert für Anwendungen mit paralleler Schnittstelle.
  • Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
  • Standardspannung: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für Kompatibilität mit gängigen Systemdesigns
  • Oberflächenmontagegehäuse: 54-TSOP II-Gehäuse für effizientes Leiterplattenlayout und automatisierte Bestückung
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Vertrieb

Anwendungen

Ideal für industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte, eingebettete Computersysteme und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit umfassendem Lebenszyklus-Support, vollständiger Rückverfolgbarkeit und detaillierter technischer Dokumentation. Jede Komponente wird durch Design-In-Support und globale Logistik unterstützt, um Ihre Produktionskontinuität zu gewährleisten.


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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 4
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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