AS4C64M8D1-5BINTR

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Alliance Memory AS4C64M8D1-5BINTR DDR SDRAM Speicher-IC

Hochleistungsfähige 512-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherlösung in einem kompakten 60-TFBGA-Gehäuse, ideal für industrielle, automobile und eingebettete Anwendungen, die einen zuverlässigen flüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbereich erfordern.

Hauptmerkmale

512 Mbit Kapazität mit 64M x 8 Organisation für flexible Systemintegration
200 MHz Taktfrequenz für schnellen Datenzugriff (700 ps Zugriffszeit)
Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
Niederspannungsbetrieb: 2,3 V bis 2,7 V für energieeffiziente Ausführungen
RoHS-konform und gewährleistet die Einhaltung der Umweltauflagen
Oberflächenmontierbares 60-TFBGA-Gehäuse (8x13mm) für platzsparende Designs

Anwendungen

Ideal für die Luft- und Raumfahrt, die Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und alle Anwendungen, die eine lange Lebensdauer und hochzuverlässige DDR-Speicherkomponenten erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung	Tonband & Spule (TR) \|
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR
Speichergröße	512 Mbit
Speicherorganisation	64 m x 8
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	15 ns
Zugriffszeit	700 PS
Spannungsversorgung	2,3 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	60-FBGA (8x13)
RoHS