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Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D2-25BINTR

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Alliance Memory AS4C64M8D2-25BINTR DDR2 SDRAM

Der AS4C64M8D2-25BINTR ist ein leistungsstarker 512-Mbit-DDR2-SDRAM-Speicher-IC von Alliance Memory, der für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser parallele DRAM verfügt über eine 64M x 8-Struktur und arbeitet mit 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns. Er bietet zuverlässige Leistung in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.

Hauptmerkmale:

  • 512 Mbit DDR2 SDRAM mit 64M x 8 Speicherorganisation
  • 400 MHz Taktfrequenz für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA)
  • Niederspannungsbetrieb: 1,7 V bis 1,9 V Versorgungsspannung
  • 60-FBGA (8x10) Oberflächenmontagegehäuse
  • RoHS-konform für Umweltschutz
  • 15 ns Schreibzykluszeit und 400 ps Zugriffszeit

Anwendungsbereiche: Ideal für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und andere unternehmenskritische eingebettete Systeme, die eine lange Lebensdauer und zuverlässige Speicherleistung erfordern.

Hersteller: Alliance Memory, Inc. - ein zuverlässiger Lieferant von Legacy- und Langzeit-Speicherlösungen mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Qualitätssicherung.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 400 PS
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,9 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 60-FBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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