AS4C8M16MSB-6BINTR

Alliance Memory AS4C8M16MSB-6BINTR - 128Mbit Mobile LPSDR SDRAM

Der AS4C8M16MSB-6BINTR ist ein leistungsstarker 128-Mbit-Mobil-LPSDR-SDRAM (Low Power Single Data Rate) von Alliance Memory, der speziell für platzsparende und energieempfindliche Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Speicherchip verfügt über eine 8M x 16-Architektur mit LVCMOS-Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 166 MHz für zuverlässige Datenübertragung.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V bis 1,95 V reduziert den Stromverbrauch in mobilen und batteriebetriebenen Geräten.
• Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
• Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für anspruchsvolle Umgebungen
• Kompaktes Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 54-TFBGA-Gehäuse (8x8 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
• RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards

Anwendungen

Ideal für mobile Geräte, eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, IoT-Geräte und tragbare Messgeräte, die zuverlässige, energiesparende Speicherlösungen mit verlängerter Lebensdauerunterstützung benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauer und vollständiger Rückverfolgbarkeit. Als autorisierter Distributor bieten wir Originalkomponenten mit technischem Support und weltweitem Versand.

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