AS6C1008-55BIN

AS6C1008-55BIN Hochleistungs-SRAM-Speicherchip

Der AS6C1008-55BIN von Alliance Memory bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikation. Dieser asynchrone 1-Mbit-SRAM verfügt über eine 128K x 8-Speicherorganisation mit einer ultraschnellen Zugriffszeit von 55 ns und gewährleistet so einen schnellen Datenabruf auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Ultraschneller Zugriff: Die Zugriffszeit von 55 ns ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Datenoperationen für zeitkritische Anwendungen.
• Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 2,7 V bis 5,5 V ermöglicht eine flexible Integration in verschiedene Systemarchitekturen.
• Erweiterter Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Industrie- und Automobilumgebungen.
• Kompakte Bauform: Das 36-TFBGA-Gehäuse (6x8) für die Oberflächenmontage optimiert die Platinenplatznutzung.
• Parallele Schnittstelle: Unkomplizierte Integration mit bestehenden parallelen Busarchitekturen
• RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Markteinsatz

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser SRAM-Chip eignet sich hervorragend für Anwendungen, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher erfordern, darunter eingebettete Systeme, industrielle Automatisierungssteuerungen, Kfz-Steuergeräte, medizinische Diagnosegeräte, Telekommunikationsinfrastruktur und Avioniksysteme für die Luft- und Raumfahrt.

Technische Spezifikationen

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