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Alliance Memory, Inc.

AS6C2008-55SIN

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Alliance Memory AS6C2008-55SIN – Hochzuverlässiges 2-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS6C2008-55SIN von Alliance Memory bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikation. Dieser asynchrone 2-Mbit-SRAM verfügt über eine 256K x 8-Speicherorganisation mit einer schnellen Zugriffszeit von 55 ns und eignet sich daher ideal für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung und eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Die Zugriffszeit von 55 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Breiter Betriebsspannungsbereich: Der Versorgungsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V bietet Flexibilität für verschiedene Systemdesigns.
  • Erweiterter Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 85 °C gewährleistet Zuverlässigkeit auch in rauen Industrieumgebungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 32-SOIC (11,30 mm Breite) optimiert die Platinenplatznutzung.
  • Parallele Schnittstelle: Standardisierte parallele Speicherschnittstelle vereinfacht die Integration in bestehende Architekturen.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der AS6C2008-55SIN wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie Flugsteuerungssysteme in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen entwickelt. Seine asynchrone Architektur und der breite Temperaturbereich machen ihn besonders geeignet für Systeme, die deterministisches Verhalten ohne komplexe Taktbereichssteuerung erfordern.

Qualitäts- und Echtheitsgarantie

Als autorisierter Distributor von Alliance Memory-Komponenten garantiert HQICKEY 100 % Originalteile mit vollständiger Rückverfolgbarkeitsdokumentation. Jedes AS6C2008-55SIN wird mit Herstellerzertifizierung geliefert und ist durch unser Qualitätsversprechen und unseren technischen Support abgesichert.

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Entdecken Sie unser komplettes Sortiment an Speicher-ICs für weitere SRAM-, DRAM-, Flash- und ROM-Lösungen. Besuchen Sie die HQICKEY-Homepage , um unseren vollständigen Katalog hochzuverlässiger Halbleiter zu durchstöbern, oder informieren Sie sich in unserem technischen Blog über aktuelle Brancheneinblicke und Anwendungsbeispiele.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 2 Mbit
Speicherorganisation 256K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55 ns
Zugriffszeit 55 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 32-SOIC (0,445", 11,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 32-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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