AS6C2008-55STIN

AS6C2008-55STIN – Hochleistungsfähige 2-Mbit-SRAM-Speicherlösung

Der AS6C2008-55STIN von Alliance Memory, Inc. ist ein hochwertiger asynchroner 2-Mbit-SRAM-Chip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, industriellen Steuerungssystemen, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Speicherkomponente bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Zugriffszeit von 55 ns und arbeitet zuverlässig in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Geschwindigkeit: Die Zugriffszeit von 55 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
• Flexible Speicherorganisation: 256K x 8-Konfiguration, optimiert für eingebettete Systeme und Mikrocontroller-Schnittstellen
• Breiter Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannungsbereich für vielseitige Systemintegration
• Zuverlässigkeit in Industriequalität: Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) für raue Betriebsumgebungen
• Oberflächenmontage-Design: 32-LFSOP/32-sTSOP-Gehäuse für effizientes Leiterplattenlayout und automatisierte Bestückung
• Parallele Schnittstelle: Standardisierte parallele Speicherschnittstelle zur nahtlosen Integration mit älteren und modernen Systemen

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Der AS6C2008-55STIN eignet sich ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie:

• Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
• Motorsteuergeräte (ECUs) und Sicherheitssysteme in Kraftfahrzeugen
• Industrielle Automatisierungs- und Prozesssteuerungsanlagen
• Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
• Telekommunikationsnetzinfrastruktur
• Eingebettete Systeme, die eine schnelle und zuverlässige Datenpufferung erfordern

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• AS6C2008-55STIN.pdf