AS6C4016-55BINTR

AS6C4016-55BINTR – Hochleistungsfähiges 4-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS6C4016-55BINTR von Alliance Memory ist ein hochzuverlässiger 4-Mbit-asynchroner SRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil, Medizin und Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 256K x 16 und einer schnellen Zugriffszeit von 55 ns bietet dieser SRAM mit paralleler Schnittstelle eine gleichbleibende Leistung über einen weiten Temperaturbereich.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Schnelle Zugriffszeit: Eine Schreibzykluszeit von 55 ns gewährleistet einen hohen Datendurchsatz für zeitkritische Anwendungen.
• Breiter Spannungsbereich: Die Versorgungsspannung von 2,7 V bis 5,5 V ermöglicht eine flexible Integration in verschiedene Systemarchitekturen.
• Industrietemperaturbereich: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für zuverlässige Zuverlässigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen.
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 48-TFBGA-Sockel (6 x 8 mm) optimiert die Platinenplatznutzung
• RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für die Einhaltung globaler Marktstandards
• Langfristiger Support: Alliance Memory verpflichtet sich zu verlängerter Produktverfügbarkeit

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser SRAM wurde für eingebettete Systeme entwickelt, die eine Zuverlässigkeit ähnlich der von nichtflüchtigen Speichern bei gleichzeitiger Geschwindigkeit flüchtiger Speicher erfordern: industrielle Steuerungen, Steuergeräte für Kraftfahrzeuge, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur, Luft- und Raumfahrtsysteme und Datenpufferung mit hoher Zuverlässigkeit.

Vollständige technische Spezifikationen

Bestellinformationen: AS6C4016-55BINTR wird in Gurtverpackung für die automatisierte Montage geliefert. Vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation und Konformitätszertifikate sind auf Anfrage erhältlich.

• AS6C4016-55BINTR.pdf