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Alliance Memory, Inc.

AS6C4016B-45ZINTR

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AS6C4016B-45ZINTR – Hochzuverlässiges 4-Mbit-Asynchron-SRAM

Der Alliance Memory AS6C4016B-45ZINTR ist ein leistungsstarker, asynchroner 4-Mbit-SRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen mit hohen Anforderungen an schnelle Zugriffszeiten und zuverlässigen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 256K x 16 und einer Zugriffszeit von 45 ns bietet diese Komponente herausragende Leistung für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Schnelle Zugriffszeit von 45 ns – Ermöglicht schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen
  • Breiter Betriebsspannungsbereich (2,7 V – 3,6 V) – Flexible Stromversorgungskompatibilität für diverse Systemdesigns
  • Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) – Bewährte Zuverlässigkeit in rauen Industrie- und Automobilumgebungen
  • RoHS-konform – Erfüllt Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
  • Oberflächenmontierbares TSOP-44-Gehäuse – Platzsparendes Design für hochdichte Leiterplattenlayouts
  • Gurt- und Rollenverpackung – bereit für automatisierte Montageprozesse

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser SRAM wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und Luft- und Raumfahrtsysteme entwickelt, bei denen Datenintegrität und langfristige Verfügbarkeit von größter Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauer spezialisiert und ist damit die erste Wahl für Entwicklungsingenieure, die für unternehmenskritische Anwendungen eine gleichbleibende Verfügbarkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit benötigen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Einzelport, asynchron
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 256K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45 ns
Zugriffszeit 45 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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