AS7C1024B-15TJIN

AS7C1024B-15TJIN – Hochleistungsfähiges 1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C1024B-15TJIN von Alliance Memory, Inc. ist ein hochwertiger asynchroner 1-Mbit-SRAM-Chip, der für hochzuverlässige Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser flüchtige Speicherchip bietet außergewöhnliche Leistung mit einer extrem schnellen Zugriffszeit von 15 ns und einer Speicherorganisation von 128K x 8. Dadurch eignet er sich ideal für eingebettete Systeme, Datenpufferung und Cache-Speicheranwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 15 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
• Robuster Betriebsbereich: Industrielle Temperaturbeständigkeit (-40 °C bis 85 °C) für raue Umgebungen
• Flexible Stromversorgung: Betriebsspannung 4,5 V bis 5,5 V für vielseitige Systemintegration
• Kompakte Oberflächenmontage: 32-TSOP I-Gehäuse (18,40 mm Breite) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte
• Parallele Schnittstelle: Unkomplizierte Integration mit älteren und modernen Mikrocontroller-Architekturen
• RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser hochzuverlässige SRAM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, darunter eingebettete Steuerungssysteme, industrielle Automatisierung, medizinische Instrumente, Telekommunikationsinfrastruktur, Automobilelektronik und Luft- und Raumfahrtavionik, bei denen Datenintegrität und Leistung von entscheidender Bedeutung sind.

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