AS7C1024B-20TJINTR

AS7C1024B-20TJINTR - Hochgeschwindigkeits-1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C1024B-20TJINTR von Alliance Memory ist ein leistungsstarker asynchroner 1-Mbit-SRAM, der für Anwendungen mit Bedarf an schnellem und zuverlässigem flüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer Zugriffszeit von 20 ns und einer Speicherorganisation von 128K x 8 bietet dieser SRAM außergewöhnliche Geschwindigkeiten für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Netzwerkgeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen.

Hauptmerkmale:

• Ultraschnelle Zugriffszeit von 20 ns für Hochgeschwindigkeits-Datenoperationen
• 1 Mbit Speicherkapazität mit 128K x 8 Organisation
• Breiter Betriebsspannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
• Parallele Speicherschnittstelle für einfache Integration
• Oberflächenmontierbares 32-TSOP-I-Gehäuse für platzsparendes Leiterplattendesign
• RoHS-konform für Umweltauflagen

Anwendungsbereiche: Ideal für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Automatisierung, medizinische Geräte und Telekommunikationsausrüstung, die einen hochzuverlässigen Speicher mit vollständiger Rückverfolgbarkeit erfordern.

Designunterstützung: Umfassende Datenblätter, Referenzdesigns und technische Dokumentationen stehen zur Verfügung, um Ihren Design-In-Prozess zu beschleunigen.

Vollständige technische Spezifikationen

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