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Alliance Memory, Inc.

AS7C1025B-12TJCN

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AS7C1025B-12TJCN - Hochgeschwindigkeits-1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C1025B-12TJCN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker asynchroner 1-Mbit-SRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen mit hohen Anforderungen an schnelle Zugriffszeiten und zuverlässige Datenspeicherung entwickelt wurde. Mit einer Zugriffszeit von 12 ns und einer Speicherstruktur von 128K x 8 bietet diese Komponente herausragende Leistung für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschnelle Zugriffszeit von 12 ns – Gewährleistet schnellen Datenabruf für zeitkritische Vorgänge
  • 1 Mbit Kapazität (128K x 8 Organisation) - Optimale Speicherdichte für eingebettete Systeme
  • Asynchrone Parallelschnittstelle – Vereinfacht die Integration mit älteren und modernen Mikrocontrollern
  • Breiter Betriebsspannungsbereich (4,5 V ~ 5,5 V) – Kompatibel mit Standard-5-V-Logiksystemen
  • Oberflächenmontierbares 32-SOJ-Gehäuse – Platzsparendes Design für hochdichte Leiterplattenlayouts
  • RoHS-konform – Erfüllt Umwelt- und Regulierungsstandards
  • Kommerzieller Temperaturbereich (0 °C ~ 70 °C) - Geeignet für Standardbetriebsumgebungen

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser SRAM wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie industrielle Steuerungen, Kfz-Steuergeräte, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und Luft- und Raumfahrtsysteme entwickelt, bei denen Datenintegrität und lange Verfügbarkeit von größter Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauer und damit die erste Wahl für Entwicklungsingenieure, die an unternehmenskritischen Systemen arbeiten. Vollständige Rückverfolgbarkeit und Konformitätsdokumentation sind verfügbar.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12 ns
Spannungsversorgung 4,5 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 32-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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