AS7C1026B-20JCN

AS7C1026B-20JCN - Hochgeschwindigkeits-1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C1026B-20JCN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker asynchroner 1-Mbit-SRAM, der für Anwendungen mit hohen Anforderungen an schnelle Zugriffszeiten und zuverlässigen flüchtigen Speicher entwickelt wurde. Mit einer 64K x 16-Struktur und einer Zugriffszeit von 20 ns eignet sich dieser SRAM ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, industrielle Steuerungstechnik, Telekommunikation und eingebettete Systeme, die eine schnelle Datenpufferung und Cache-Speicherung benötigen.

Hauptmerkmale:

• Schnelle Zugriffszeit von 20 ns – ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Datenoperationen für zeitkritische Anwendungen
• 64K x 16 Speicherorganisation – Optimiert für 16-Bit-Parallelschnittstellensysteme
• Breiter Betriebsspannungsbereich – 4,5 V bis 5,5 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
• Oberflächenmontage-Gehäuse 44-SOJ – Platzsparendes Design für moderne Leiterplattenlayouts
• Kommerzieller Temperaturbereich – Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 70 °C
• RoHS-konform – Erfüllt Umweltstandards für den weltweiten Einsatz

Anwendungsbereiche:

Dieses SRAM eignet sich hervorragend für industrielle Steuerungen, Netzwerkgeräte, Automobilsysteme, medizinische Geräte, Test- und Messgeräte sowie für alle Anwendungen, die eine schnelle temporäre Datenspeicherung mit paralleler Schnittstelle erfordern.

Vorteile des autorisierten Vertriebspartners:

Wir liefern 100% authentische Alliance Memory-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langfristigem Support, um Ihre Designinvestition zu schützen und die Lieferkontinuität zu gewährleisten.

Vollständige technische Spezifikationen

• AS7C1026B-20JCN.pdf