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AS7C1026B-20JCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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AS7C1026B-20JCNTR - Hochleistungsfähiges 1-Mbit-Asynchron-SRAM
Der AS7C1026B-20JCNTR von Alliance Memory ist ein schneller, energiesparender 1-Mbit-SRAM (Static Random Access Memory), der für anspruchsvolle eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die einen schnellen und zuverlässigen parallelen Speicherzugriff erfordern.
Hauptmerkmale
- Schnelle Zugriffszeit: Eine Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
- Flexible Organisation: 64K x 16 Speicherarchitektur, optimiert für 16-Bit-Datenbussysteme
- Breiter Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V Versorgungsspannung für Kompatibilität mit Standard-5-V-Systemen
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 70 °C
- Oberflächenmontagegehäuse: 44-BSOJ-Gehäuse für automatisierte Bestückung und platzsparende Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Netzwerkgeräte, Telekommunikationssysteme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die einen Hochgeschwindigkeits-Pufferspeicher oder Cache-Speicher benötigen.
Technische Spezifikationen
Qualität und Zuverlässigkeit
Als autorisierter Distributor von Alliance Memory-Produkten bieten wir vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, Qualitätszertifizierungen und technischen Support. Alle Komponenten stammen direkt vom Hersteller, ihre Echtheit ist garantiert und sie unterliegen unserem Qualitätssicherungsprogramm.
Benötigen Sie technische Unterstützung? Unser Anwendungstechnik-Team steht Ihnen bei der Design-In-Unterstützung, der Kompatibilitätsprüfung und der Lebenszyklusplanung für Ihr Projekt zur Seite.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speichergröße | 1 Mbit |
| Speicherorganisation | 64K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 20 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 44-SOJ |
| RoHS |  |
AS7C1026B-20JCNTR.pdf