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Alliance Memory, Inc.

AS7C31024B-12TJCN

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AS7C31024B-12TJCN – Hochleistungsfähiges 1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C31024B-12TJCN von Alliance Memory ist ein hochwertiger asynchroner 1-Mbit-SRAM, der speziell für unternehmenskritische Anwendungen mit extrem schnellen Zugriffszeiten und höchster Zuverlässigkeit entwickelt wurde. Mit einer blitzschnellen Zugriffszeit von 12 ns und einer Speicherorganisation von 128K x 8 bietet dieser SRAM die Leistung, die Ihre hochzuverlässigen Systeme benötigen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschnelle Performance: Eine Zugriffszeit von 12 ns gewährleistet schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Speicherorganisation: 128K x 8-Konfiguration, optimiert für parallele Schnittstellensysteme
  • Breiter Spannungsbereich: Der Betrieb mit 3 V bis 3,6 V gewährleistet Kompatibilität mit modernen Niedrigstrom-Designs.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 70 °C für anspruchsvolle Umgebungen
  • Platzsparendes Gehäuse: Das 32-SOJ-Oberflächenmontagegehäuse (0,300", 7,62 mm Breite) spart wertvollen Platz auf der Platine.
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieses hochzuverlässige SRAM eignet sich perfekt für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und eingebettete Computerplattformen, bei denen Datenintegrität und Geschwindigkeit von größter Bedeutung sind.

Warum HQICKEY wählen?

Als etablierter B2B-Distributor mit Spezialisierung auf hochzuverlässige Halbleiter bietet HQICKEY Original-Memory-Komponenten von Alliance Memory mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, wettbewerbsfähigen Preisen und kompetentem technischen Support. Dank unserer globalen Logistik garantieren wir eine schnelle Lieferung an Ihren Standort.

Technische Spezifikationen

Verwandte Produkte und Ressourcen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 32-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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