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Alliance Memory, Inc.

AS7C31024B-12TJCNTR

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AS7C31024B-12TJCNTR - Hochgeschwindigkeits-1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C31024B-12TJCNTR von Alliance Memory bietet herausragende Leistung für unternehmenskritische Anwendungen, die schnelles und zuverlässiges statisches RAM erfordern. Dieses asynchrone 1-Mbit-SRAM zeichnet sich durch eine ultraschnelle Zugriffszeit von 12 ns und eine Speicherorganisation von 128K x 8 aus und ist damit ideal für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung, Cache-Speicher und eingebettete Systeme geeignet.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 12 ns gewährleistet minimale Latenzzeiten für zeitkritische Vorgänge.
  • Flexible Organisation: 128K x 8-Konfiguration, optimiert für bytebreite Datenpfade
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Versorgungsspannung von 3 V bis 3,6 V für energieeffiziente Ausführungen
  • Industrieller Temperaturbereich: Betrieb von 0 °C bis 70 °C für anspruchsvolle Umgebungen
  • Platzsparende Bauform: 32-SOJ-Oberflächenmontagegehäuse (7,62 mm Breite)
  • Parallele Schnittstelle: Einfache, schnelle parallele Speicherschnittstelle
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion

Zielanwendungen

Dieses hochzuverlässige SRAM wurde für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, Medizintechnik und Telekommunikation entwickelt, wo Datenintegrität und Geschwindigkeit höchste Priorität haben. Die asynchrone Architektur eliminiert die Komplexität der Taktsynchronisation und gewährleistet gleichzeitig eine herausragende Leistung.

Warum HQICKEY wählen?

Als autorisierter Distributor von Alliance Memory-Produkten garantiert HQICKEY 100 % authentische Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit. Wir bieten technischen Support, Anwendungshinweise und schnelle Lieferung, um Ihren Bedarf an Just-in-Time-Beschaffung zu decken.

Technische Spezifikationen

Verwandte Ressourcen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 32-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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