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Alliance Memory, Inc.

AS7C31024B-20JCN

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AS7C31024B-20JCN – Hochleistungsfähiges 1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C31024B-20JCN von Alliance Memory ist ein schneller, energiesparender 1-Mbit-Asynchron-SRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil, Medizin und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Mit einer schnellen Zugriffszeit von 20 ns und einer Speicherorganisation von 128K x 8 bietet dieser SRAM zuverlässige Leistung für Datenpufferung, Cache-Speicher und Echtzeitverarbeitung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Schnelle Zugriffszeit von 20 ns – ermöglicht schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen
  • 1 Mbit Kapazität (128K x 8) – Optimale Speicherdichte für eingebettete Systeme
  • Niederspannungsbetrieb (3 V - 3,6 V) - Reduziert den Stromverbrauch in batteriebetriebenen und tragbaren Geräten
  • 32-SOJ Oberflächenmontagegehäuse – Platzsparendes Design für hochdichte Leiterplattenlayouts
  • RoHS-konform – Erfüllt Umwelt- und Regulierungsstandards für globale Märkte
  • Breiter Betriebstemperaturbereich (0 °C bis 70 °C) – Geeignet für gewerbliche und industrielle Umgebungen

Typische Anwendungen

  • Industrielle Steuerungssysteme und Automatisierung
  • Automobilelektronik und Infotainment
  • Medizinprodukte und Diagnosegeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Eingebettete Computer und IoT-Geräte
  • Datenerfassung und Instrumentierung

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Speicherlösungen mit langen Produktlebenszyklen und eignet sich daher ideal für Anwendungen, die eine hohe Verfügbarkeit und eine zuverlässige Versorgung erfordern. Alle Produkte sind vollständig rückverfolgbar und werden durch umfassenden technischen Support unterstützt.

Vollständige technische Spezifikationen

Benötigen Sie technische Dokumentation? Vollständige Datenblätter und Anwendungshinweise stehen Ihnen zur Verfügung, um Ihren Design-In-Prozess zu unterstützen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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