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Alliance Memory, Inc.

AS7C31026B-10JIN

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AS7C31026B-10JIN Hochgeschwindigkeits-Asynchron-SRAM

Der AS7C31026B-10JIN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker asynchroner 1-Mbit-SRAM, der für Anwendungen mit Bedarf an schnellem, zuverlässigem flüchtigem Speicher und paralleler Schnittstelle entwickelt wurde. Dank seiner ultraschnellen Zugriffszeit von 10 ns und des breiten Betriebstemperaturbereichs eignet sich diese Speicherlösung ideal für Industrie, Telekommunikation, Automobilindustrie und eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 10 ns Zugriffszeit und Schreibzykluszeit für anspruchsvolle Anwendungen
  • Flexible Organisation: 64K x 16 Speicherarchitektur für effiziente Datenverarbeitung
  • Breiter Spannungsbereich: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für Kompatibilität mit modernen Systemen
  • Industrieller Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Parallele Schnittstelle: Standardisierte parallele Speicherschnittstelle für einfache Integration
  • Oberflächenmontagegehäuse: 44-BSOJ (10,16 mm Breite) für die automatisierte Montage
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion

Anwendungen

Dieses SRAM-Modul eignet sich perfekt für:

  • Industrielle Steuerungssysteme und Automatisierung
  • Telekommunikationsausrüstung und Netzwerke
  • Automobilelektronik und Infotainment
  • Medizinprodukte und Instrumente
  • Eingebettete Systeme, die einen schnellen Pufferspeicher benötigen
  • Datenerfassungs- und -verarbeitungssysteme

Technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterspeicherlösungen mit langjährigem Support und umfassender technischer Dokumentation. Die AS7C31026B-Serie bietet bewährte Leistung, hervorragende Verfügbarkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit für unternehmenskritische Anwendungen.

Benötigen Sie technische Unterstützung oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Team für Datenblätter, Anwendungshinweise und maßgeschneiderte Lösungen, die auf Ihre Projektanforderungen zugeschnitten sind.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre | Röhre
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 64K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10 ns
Zugriffszeit 10 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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