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Alliance Memory, Inc.

AS7C31026B-12JCN

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Der AS7C31026B-12JCN ist ein leistungsstarker asynchroner 1-Mbit-SRAM-Speicherchip von Alliance Memory, Inc., der für Anwendungen mit Bedarf an schnellem und zuverlässigem flüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer 64K x 16-Struktur und einer Zugriffszeit von 12 ns bietet dieser oberflächenmontierbare SRAM außergewöhnliche Geschwindigkeiten für Industrie-, Automobil-, Medizin-, Luft- und Raumfahrt- sowie Telekommunikationssysteme. Er arbeitet mit einer Betriebsspannung von 3 V bis 3,6 V und einem Temperaturbereich von 0 °C bis 70 °C und gewährleistet so eine robuste Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Dieser SRAM-Chip verfügt über eine parallele Schnittstelle und ist in einem 44-SOJ-SMD-Gehäuse erhältlich, wodurch er sich ideal für platzsparende Leiterplatten eignet. Die Schreibzykluszeit von 12 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für zeitkritische Anwendungen. Der RoHS-konforme AS7C31026B-12JCN, der durch Alliance Memorys Engagement für lange Verfügbarkeit abgesichert ist, bietet Entwicklungsingenieuren eine zuverlässige Speicherlösung mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und technischem Support.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 64K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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