-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
AS7C31026B-12JIN
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
AS7C31026B-12JIN – Hochleistungsfähiges 1-Mbit-Asynchron-SRAM
Der AS7C31026B-12JIN von Alliance Memory ist ein schneller, energiesparender 1-Mbit-asynchroner SRAM, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer schnellen Zugriffszeit von 12 ns und einem breiten Betriebstemperaturbereich bietet diese Speicherlösung zuverlässige Leistung in unternehmenskritischen Systemen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Schnelle Zugriffszeit: Eine Zugriffszeit von 12 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
- Flexible Speicherorganisation: 64K x 16-Konfiguration optimiert für 16-Bit-Datenbusarchitekturen
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
- Niederspannungsbetrieb: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für energieeffiziente Ausführungen
- Oberflächenmontagegehäuse: 44-BSOJ-Gehäuse (10,16 mm Breite) für kompakte Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.
Typische Anwendungen
- Eingebettete Systeme und Mikrocontroller-Schnittstellen
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Automobilelektronik und Infotainment
- Medizinprodukte und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Datenpufferung und Cache-Speicher
Technische Spezifikationen
Qualität & Konformität
Alle Produkte von Alliance Memory werden strengen Tests und Qualitätskontrollen unterzogen, um langfristige Zuverlässigkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit zu gewährleisten. Diese Komponente ist RoHS-konform und wird durch eine umfassende technische Dokumentation, einschließlich Datenblättern und Referenzdesigns, unterstützt.
Designunterstützung
Unser Team bietet Ihnen umfassende Unterstützung bei der Integration dieses SRAM in Ihr nächstes Projekt mit detaillierten Datenblättern, Anwendungshinweisen und technischer Beratung. Kontaktieren Sie uns für Mengenrabatte, individuelle Verpackungsoptionen oder technische Beratung.
Verwandte Ressourcen
Entdecken Sie weitere Halbleiterbauteile und Speicherlösungen:
- Entdecken Sie unser komplettes Speichersortiment für SRAM, DRAM, Flash und andere Speicherlösungen.
- Besuchen Sie die HQICKEY-Homepage , um unseren vollständigen Katalog an Halbleiterkomponenten einzusehen.
- Lesen Sie unseren News- und Technikblog für die neuesten Brancheneinblicke und Produktaktualisierungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speichergröße | 1 Mbit |
| Speicherorganisation | 64K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffszeit | 12 ns |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 44-SOJ |
| RoHS |  |
AS7C31026B-12JIN.pdf