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Alliance Memory, Inc.

AS7C31026B-15JCN

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AS7C31026B-15JCN - Hochleistungsfähiger asynchroner SRAM-Speicher-IC

Der AS7C31026B-15JCN von Alliance Memory, Inc. ist ein asynchroner 1-Mbit-Hochgeschwindigkeits-SRAM, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen mit Bedarf an schnellem und zuverlässigem flüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer extrem kurzen Zugriffszeit von 15 ns und einer Speicherorganisation von 64K x 16 bietet dieser SRAM herausragende Leistung für industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, Automobilelektronik und Medizintechnik.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 15 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Organisation: 64K x 16-Konfiguration, optimiert für 16-Bit-Mikroprozessor- und DSP-Systeme
  • Breiter Spannungsbereich: Betrieb mit 3 V bis 3,6 V, kompatibel mit modernen Niedrigstrom-Designs
  • Industrieller Temperaturbereich: 0 °C bis 70 °C (TA) für zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen
  • Oberflächenmontagegehäuse: 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) für effizientes Leiterplattenlayout
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieses asynchrone SRAM ist ideal für:

  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Telekommunikations- und Netzwerkgeräte
  • Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
  • Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
  • Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich
  • Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung und -zwischenspeicherung

Warum Alliance Memory SRAM wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochwertige, langlebige Speicherlösungen für unternehmenskritische Anwendungen. Der AS7C31026B-15JCN bietet garantierte Verfügbarkeit, vollständige Rückverfolgbarkeit und gleichbleibende Leistung über verschiedene Produktionschargen hinweg und ist damit die erste Wahl für Ingenieure, die höchste Zuverlässigkeit fordern.

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Entdecken Sie unser komplettes Angebot an Speicherlösungen, darunter SRAM-, DRAM-, Flash- und EEPROM-Bausteine. Besuchen Sie unsere Homepage , um Tausende von Halbleiterkomponenten zu entdecken, oder lesen Sie in unserem technischen Blog Anwendungsberichte, Designleitfäden und Brancheneinblicke.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 64K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 15 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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