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Alliance Memory, Inc.

AS7C31026B-20TIN

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AS7C31026B-20TIN – Hochleistungsfähiges 1-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C31026B-20TIN von Alliance Memory ist ein hochgeschwindigkeitsfähiges, asynchrones 1-Mbit-SRAM, das für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Zugriffszeit von 20 ns und einer Speicherorganisation von 64K x 16 ermöglicht diese Komponente einen zuverlässigen und schnellen parallelen Speicherzugriff für eingebettete Systeme, die eine sofortige Datenverfügbarkeit ohne Aktualisierungszyklen erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschnelle Zugriffszeit von 20 ns – ideal für zeitkritische Anwendungen, die einen sofortigen Datenabruf erfordern.
  • 64K x 16 Speicherorganisation – Optimiert für 16-Bit-Datenbusarchitekturen
  • Betrieb mit 3 V bis 3,6 V – Energiesparendes Design, kompatibel mit modernen eingebetteten Systemen
  • Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) – Bewährte Zuverlässigkeit in rauen Industrie- und Automobilumgebungen
  • Asynchrone Parallelschnittstelle – Einfache Integration ohne Berücksichtigung des Taktbereichs
  • 44-TSOP2-Oberflächenmontagegehäuse – Platzsparendes Design für hochdichte Leiterplattenlayouts

Anwendungen

Dieses SRAM eignet sich ideal für Cache-Speicher, Pufferspeicher, Datenprotokollierung, FPGA-Konfigurationsspeicher, industrielle Steuerungen, Kfz-Steuergeräte, Telekommunikationsgeräte und Avioniksysteme für die Luft- und Raumfahrt, die eine lange Lebensdauer erfordern.

Warum sollten Sie sich für einen autorisierten Vertrieb entscheiden?

Wir liefern ausschließlich Original-Speicherkomponenten von Alliance Memory mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langer Verfügbarkeit, um Ihre kritischen Programme zu unterstützen und das Risiko von Veralterung zu minimieren. Alle Einheiten werden ab Lager mit weltweitem Logistikservice versendet.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 64K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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