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Alliance Memory, Inc.

AS7C34098A-15TINTR

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Recycling Electronic Components

AS7C34098A-15TINTR Hochgeschwindigkeits-Asynchron-SRAM

Der AS7C34098A-15TINTR von Alliance Memory ist ein hochleistungsfähiges 4-Mbit-asynchrones SRAM, das für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Industrie, Automobil, Telekommunikation und Luft- und Raumfahrt entwickelt wurde, die schnelle Zugriffszeiten und zuverlässigen Betrieb über erweiterte Temperaturbereiche erfordern.

Hauptmerkmale

  • Ultraschnelle Zugriffszeit von 15 ns für Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung
  • 4 Mbit Speicherkapazität , organisiert als 256K x 16
  • Niederspannungsbetrieb: Versorgungsspannungsbereich von 3 V bis 3,6 V für optimale Energieeffizienz
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für raue Umgebungen
  • Parallele Schnittstelle für unkomplizierte Integration
  • Oberflächenmontierbares 44-TSOP-Gehäuse für platzsparendes Leiterplattendesign
  • RoHS-konform für Umweltauflagen

Anwendungen

Dieses hochzuverlässige SRAM ist ideal für:

  • Industrielle Steuerungssysteme und Automatisierung
  • Automobilelektronik und Infotainment
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinische Geräte, die eine Datenpufferung erfordern
  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
  • Netzwerkrouter und -schalter

Technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauer und vollständiger Rückverfolgbarkeit. Jede Komponente wird durch umfassende technische Dokumentation und Design-In-Ressourcen unterstützt, um eine erfolgreiche Integration in Ihre kritischen Anwendungen zu gewährleisten.

Benötigen Sie technische Unterstützung oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Team für Datenblätter, Anwendungshinweise und maßgeschneiderte Lösungen, die auf Ihre Projektanforderungen zugeschnitten sind.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 256K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 15 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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