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Alliance Memory, Inc.

AS7C34098A-8TIN

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AS7C34098A-8TIN – Hochleistungsfähiges 4-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C34098A-8TIN von Alliance Memory ist ein asynchroner 4-Mbit-Hochgeschwindigkeits-SRAM, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen mit Bedarf an schnellem und zuverlässigem parallelem Speicherzugriff entwickelt wurde. Mit einer Zugriffszeit von 8 ns und einer 256K x 16-Struktur bietet dieser oberflächenmontierbare SRAM herausragende Leistung für Industrie-, Telekommunikations-, Automobil- und Luft- und Raumfahrtsysteme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschnelle Zugriffszeit von 8 ns – ideal für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung und Cache-Anwendungen
  • Breiter Betriebsspannungsbereich (3 V – 3,6 V) – Kompatibel mit modernen Niedrigstrom-Designs
  • Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) – Zuverlässiger Betrieb in rauen Industrieumgebungen
  • 256K x 16 Speicherorganisation – Optimiert für 16-Bit-Datenbusarchitekturen
  • RoHS-konform – Erfüllt die Umweltstandards für bleifreie Fertigung
  • 44-TSOP-Oberflächenmontagegehäuse – Platzsparendes Design für kompakte Leiterplattenlayouts

Anwendungen

Dieses SRAM eignet sich perfekt für Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Automobilelektronik, Telekommunikationsinfrastruktur und alle Anwendungen, die eine schnelle, nichtflüchtige Datenspeicherung mit paralleler Schnittstelle erfordern.

Technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauer und vollständiger Rückverfolgbarkeit. Jede Komponente wird durch umfassende technische Dokumentation und reaktionsschnellen technischen Support unterstützt.

Benötigen Sie technische Unterstützung oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Team für Design-In-Unterstützung, individuelle Verpackungsoptionen und weltweite Versandlösungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 256K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ns
Zugriffszeit 8 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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