AS7C34098B-10BANTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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AS7C34098B-10BANTR - Automotive-Grade 4Mbit Asynchronous SRAM
Der AS7C34098B-10BANTR von Alliance Memory ist ein leistungsstarker, für die Automobilindustrie qualifizierter 4-Mbit-asynchroner SRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigem und schnellem Speicherzugriff entwickelt wurde. Mit einer 256K x 16-Organisation und einer extrem schnellen Zugriffszeit von 10 ns bietet dieser SRAM herausragende Leistung in rauen Automobilumgebungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Zuverlässigkeit in Automobilqualität: AEC-Q100 qualifiziert für Automobilanwendungen mit erweitertem Temperaturbereich (-40 °C bis 105 °C)
- Hohe Leistungsfähigkeit: 10 ns Zugriffszeit und Schreibzykluszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Flexible Speicherorganisation: 256K x 16-Konfiguration mit paralleler Schnittstelle für vielseitige Systemintegration
- Breiter Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannungsbereich für Kompatibilität mit verschiedenen Systemen
- Platzsparende Verpackung: Kompaktes 48-TFBGA (6x8) SMD -Gehäuse
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Fahrzeugsteuerungssysteme, industrielle Automatisierung, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher in anspruchsvollen Umgebungen erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen unterliegen den Angaben im Herstellerdatenblatt. Kontaktieren Sie uns für Verfügbarkeit, Preise und technischen Support.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speichergröße | 4 Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10 ns |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | Automobil |
| Qualifikation | AEC-Q100 |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 48-LFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |
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